Létude des états de surface des matériaux bénéficie, depuis 1985, dun outil dune grande simplicité de mise en uvre et dune résolution exceptionnelle, le microscope à force atomique (MFA). Des chercheurs et ingénieurs du groupe « Contacts électriques » au Laboratoire de Génie Électrique de Paris (LGEP, CNRS-Universités Paris 6 et 11-École Supérieure dÉlectricité) à Gif-sur-Yvette, ont développé une extension de leur MFA (modèle disponible dans le commerce) leur permettant de réaliser, sur différents types de surfaces, des mesures de résistance électrique locale. Laménagement spécifique apporté à ce microscope est ainsi capable de fournir, parallèlement aux relevés topographiques classiquement obtenus avec le MFA et avec la même résolution spatiale, une cartographie électrique des échantillons, ce quaucun instrument ne permettait de réaliser jusqualors. Les applications potentielles de cet outil original pourraient concerner non seulement létude fine de la dégradation des divers types de revêtements utilisés en connectique - ce pour quoi il a été conçu initialement - mais aussi plus largement la caractérisation de certains matériaux comme les semi-conducteurs, les polymères, les composites céramique/métal, les supra-conducteurs, etc.
Inventé en 1985 dans le sillage du microscope à effet tunnel, le microscope à force atomique (MFA) a connu un essor fulgurant et sest imposé en quelques années comme un outil incontournable de caractérisation des surfaces. La résolution exceptionnelle quil procure, sa simplicité de mise en uvre, la possibilité dexplorer des objets très variés allant de faces cristallines reconstruites à des circuits intégrés en passant par des molécules complexes comme lADN, sont à lorigine de ce succès unique dans lhistoire de linstrumentation et expliquent quà lheure actuelle, plusieurs milliers dappareils soient installés de par le monde, non seulement dans les laboratoires de recherche, mais également en milieu industriel.

Le principe de la technique est relativement simple. Il consiste à déplacer sur la surface étudiée une pointe-sonde extrêmement fine fixée perpendiculairement à lextrémité dun minuscule bras de levier élastique. Tandis que la pointe décrit des lignes parallèles sur une petite zone de la surface, la force de contact pointe/surface, mesurée par le biais de la déflexion du microlevier de raideur connue, est gardée constante en ajustant en permanence la position verticale de léchantillon au moyen dune boucle dasservissement. Lenregistrement des déplacements successifs de léchantillon donne alors une cartographie en fausses couleurs de la surface explorée, dont le relief est représentatif à la fois de la topographie et de certaines propriétés physiques de la surface.
Dès le début des années 1990, de nombreuses techniques dérivées du MFA ont vu le jour, permettant de visualiser conjointement à la topographie une caractéristique physique particulière du matériau étudié. On vit ainsi apparaître des cartographies locales de coefficient de frottement, de moment magnétique, de gradient thermique... Dans le sens de cette évolution de linstrumentation, le groupe « Contacts électriques » du Laboratoire de Génie Électrique de Paris (LGEP, CNRS-Universités Paris 6 et 11-École Supérieure dÉlectricité) à Gif-sur-Yvette entreprit en 1994 de développer une extension de son MFA commercial (Nanoscope III, Digital Instruments) permettant de réaliser des mesures de résistance électrique locale pointe/surface au cours du balayage. Lobjectif était de disposer dun outil original de caractérisation des propriétés électriques des surfaces, avec comme application spécifique létude fine de la dégradation des divers types de revêtements utilisés en connectique. Or aucun des microscopes à sonde locale disponibles à lépoque ne convenait vraiment. Le microscope à effet tunnel ne permet dobserver que des surfaces conductrices ou semi-conductrices et les images quil fournit mêlent indissolublement données topographiques et électroniques. Quant au microscope à force atomique, il est dans sa forme standard totalement étranger à toute mesure électrique locale. Doù lidée de développer un aménagement spécifique de ce dernier permettant de réaliser, en parallèle avec les relevés topographiques conventionnels, une cartographie électrique des échantillons.
Le principe de cette technique originale est le suivant. Lensemble « pointe+bras de levier » est, soit rendu conducteur par une métallisation, soit réalisé dans un matériau conducteur (silicium dopé), et isolé électriquement de son support. Lorsque le contact pointe/surface est établi à la force choisie, on polarise la pointe par rapport à léchantillon. Le courant qui est alors recueilli traduit la résistance de contact locale, et, en lenregistrant en chaque point de mesure de hauteur, une cartographie simultanée de la topographie et de la résistance de la surface étudiée est obtenue.
La difficulté majeure à laquelle se sont heurtés les chercheurs du LGEP a été la dynamique très importante des valeurs de résistance rencontrées sur les surfaces dans ces conditions de contact un peu particulières, même sur des revêtements métalliques réputés bons conducteurs à léchelle macroscopique. En effet, les forces de contact mises en jeu dans le MFA sont en général trop faibles pour rompre la pellicule doxyde indésirable qui se forme sur la plupart des métaux ou même pour chasser complètement de linterface la fine couche liquide de contamination qui recouvre toute surface exposée à lair ambiant. Il a donc fallu élaborer un dispositif spécifique pour mesurer avec une bonne précision sur plusieurs décades le courant traversant le « nano-contact » pointe/échantillon. La version actuelle de lappareil permet daccéder à des résistances de contact locales comprises entre 100 ohms et 100 gigaohms, soit 9 décades de variation, ce qui place ce système très au-dessus des réalisations de nature comparable développées en France et dans dautres pays. Ses performances exceptionnelles en font un outil adapté à des utilisations beaucoup plus larges que celles pour lesquelles il a été conçu initialement. Des essais de caractérisation sont ainsi réalisés sur divers types de matériaux : semi-conducteurs, polymères, composites céramique/métal, supra-conducteurs (voir illustration). Compte tenu de lintérêt grandissant suscité par ce « résiscope », la commercialisation en tant quaccessoire des MFA existants est sérieusement envisagée.