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Fabriquer des monocristaux de diamant à la chaîne
pour
orner le cou de ces dames ou alimenter des microprocesseurs
ultra-performants,
un doux rêve ? Pas si sûr. Des chercheurs du CNRS et du
CEA
viennent de construire de nouvelles structures de carbone dont le
réseau
est proche de celui du diamant. Létude est parue le 28
décembre
dans la revue américaine Physical Review
Letters
(1).
Dans un premier temps, les physiciens ont réussi à
fabriquer
des lignes isolées de ces nouvelles structures. Puis une couche
complète, obtenant ainsi une surface qui a les
propriétés
idéales pour faire croître des monocristaux de
diamant. Cette
découverte, qui a fait lobjet dun
dépôt
de brevet commun CEA-CNRS (2), pourrait permettre à
lindustrie
de fabriquer des cristaux de grandes tailles (quelques
centimètres),
tant attendus en haute technologie. Si le diamant est surtout connu du
grand public pour ses applications en joaillerie, ses
propriétés
électroniques et thermodynamiques exceptionnelles font
rêver
les experts qui pourraient concevoir des microprocesseurs ou autres
dispositifs
1 000 à 10 000 fois plus performants que ceux conçus
à
partir du silicium.
La méthode de fabrication des lignes datomes de
carbone repose
sur les propriétés du carbure de silicium (SiC). Ce
matériau
avancé, étudié par les équipes du CNRS et
du CEA, présente un très grand intérêt
technologique
en électronique, comme matériau de structure et comme
matériau
biocompatible. Les équipes du CNRS et du CEA ont
testé préalablement
la méthode en fabriquant des lignes datomes de
silicium dont
les propriétés remarquables pourraient permettre de
réaliser,
par exemple, des dispositifs électroniques ayant la
dimension de
quelques atomes seulement. Pour arranger les atomes en forme de lignes
très étroites, ils ont exploité les
énormes
forces de contrainte à lintérieur de ce
matériau
dues à la différence de taille entre les atomes de
silicium
et de carbone (22%). En contrôlant finement la
température
et en observant la formation des lignes atomiques par microscopie
à
effet tunnel (STM), les scientifiques ont pu jouer sur les
contraintes,
soit en compression, soit en extension, et former respectivement
des lignes
atomiques de silicium ou de carbone.
Les chercheurs sattendaient ainsi à fabriquer des lignes
de carbone ayant la structure de lacétylène (sp).
Surprise. La formation de ces lignes sest faite par
transformation
en carbone sp3 (structure du diamant), grâce à une
rotation
de 90° des liaisons entre les atomes, encore mal comprise
aujourdhui.
Lintérêt de ces lignes de carbone nest pas
limité
à la fabrication potentielle du diamant. Cette
découverte
ouvre aussi la voie à létude dune grande
variété
de nano-structures de carbone à une dimension (1D) et à
deux dimensions (2D). Grâce aux propriétés
physiques
et chimiques exceptionnelles mises en évidence récemment
dans certaines structures de carbone à trois dimensions (3D)
(fullerènes,
nanotubes, etc.), on peut attendre de ces nouvelles structures 1D
et 2D,
des caractéristiques thermodynamiques et
électroniques inédites.
Les chercheurs du CNRS et du CEA ont déjà montré
que les lignes datomes de carbone ont une stabilité
thermique
sans précédent (jusquà 1 200° C, contre
moins de 200°C pour la plupart des autres structures).
(1) "Carbonic
atomic
chain formation on the b-SiC(100) surface by controlled sp Æ sp3
transformation ", Vincent Derycke (CEA
Université
Paris-Sud), Patrick Soukiassian (CEA Université
Paris-Sud),
Andrew Mayne (CNRS), Gérald Dujardin (CNRS) et Jacques Gautier
(Leti CEA - Technologies avancées).
(2) "Couche monoatomique de grande taille, en carbone de type
diamant, et procédé de fabrication de cette
couche",
Vincent Derycke (CEA Université Paris-Sud),
Gérald
Dujardin (CNRS), Andrew Mayne (CNRS), Patrick Soukiassian (CEA
Université Paris-Sud). Brevet CEA-CNRS déposé le
2 décembre 1998.
- Contacts
CNRS - Laboratoire de photophysique moléculaire.
Université
Paris-Sud Orsay (Essonne)
Gérald Dujardin
Tél : 01 69 15 77 13
e-mail : gerald.dujardin@ppm.u-psud.fr
CEA - Université Paris- Sud.
Patrick Soukiassian
Tél : 01 69 08 31 62
e-mail : psoukiassian@cea.fr
Presse CNRS :
Séverine Duparcq
Tél : 01 44 96 46 06
e- mail : severine.duparcq@cnrs-dir.fr
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