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Actualités scientifiques

Paris, 6 septembre 2013

Des capteurs de pression pour les environnements hostiles

 

Les chercheurs du GREMAN (CNRS/Université François Rabelais Tours/ENI Val de Loire/CEA Le Ripault) en collaboration avec ceux du CRHEA (CNRS) ont réussi à élaborer, pour la première fois, un empilement SiC/Si/SiC sur un substrat silicium, par la technique de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD).

 

Dans un monde où les microsystèmes prennent une place de plus en plus importante (smartphones, manettes de consoles de jeux…) certains domaines d’application restent néanmoins difficiles à explorer, du fait de l’absence de capteurs permettant de répondre parfaitement à la demande. En effet, les matériaux classiquement utilisés pour la réalisation de microsystèmes (silicium, nitrure de silicium) ne sont pas adaptés à la réalisation de capteurs devant fonctionner à haute température ou en environnement corrosif. L’utilisation de nouveaux matériaux doit donc être envisagée. Parmi les matériaux susceptibles de répondre à ces attentes, le carbure de silicium (SiC) fait figure de favori, compte tenu de ses excellentes propriétés physiques (conductivité thermique 3 fois supérieure à celle du silicium, inertie chimique, résistance aux rayonnements, module d’Young…).



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Membrane en 3C-SiC monocristallin sur un pseudo-substrat 3C-SiC

 

En utilisant la couche de silicium comme couche sacrificielle, ils ont pu obtenir une membrane en carbure de silicium monocristallin sur un pseudo-substrat SiC, l’utilisation d’une couche épaisse de SiC permettant d’envisager la gravure complète du substrat de silicium. Cette structure innovante pourrait, par exemple, servir de base à la réalisation de nouveaux capteurs de pression pouvant fonctionner à haute température ou dans des environnements hostiles.

 

Contact 
jean-francois.michaud@univ-tours.fr

Référence

J.F. Michaud, M. Portail, T. Chassagne, M. Zielinski and D. Alquier, original 3C‑SiC micro-structure on a 3C-SiC pseudo-substrate, Microelectronic Engineering 105, 65 (2013).

 

Site web

http://greman.univ-tours.fr/axis-3/silicon-carbide-sic-283292.kjsp?RH=1361444973896&RF=1338447109615

 

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