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[Actualité scientifique] Un transistor Mosfet à déplétion profonde pour l’électronique de puissance

par Clément Blondel - publié le

Le Laboratoire plasma et conversion d’énergie de Toulouse (LAPLACE) et l’Institut Néel ont réalisé ensemble un transistor MOSFET en diamant dopé au bore qui bénéficie d’une grande stabilité à l’état bloqué et d’une faible résistance à l’état passant. Ces résultats, qui préfigurent une nouvelle génération de composants pour l’électronique de puissance, ont été publiés dans la revue Applied Physics Letters.

Contact chercheur

Nicolas Rouger

Voir en ligne : Sur le site de l’Institut des sciences de l’ingénerie et des systèmes