Anaïs DréauPhysique quantique

Chargée de recherche CNRS en physique au Laboratoire Charles Coulomb1 dans l’équipe Technologies quantiques à l’état solide, spécialiste des spectroscopies optiques et de spin de défauts atomiques ponctuels dans les matériaux semi-conducteurs

Anaïs Dréau explore et exploite la nature quantique de défauts uniques dans les matériaux semi-conducteurs2 qui peuvent se révéler utiles dans le domaine des technologies quantiques émergentes. Après une thèse au Laboratoire de photonique quantique et moléculaire à Cachan en 2013, elle effectue un séjour postdoctoral à l’université de Technologie de Delft aux Pays-Bas, où elle travaille plus particulièrement sur l’utilisation de défauts atomiques du diamant afin de développer une interface spin3 -photon pour les réseaux de communication quantique. En 2016, elle intègre le CNRS au Laboratoire Charles Coulomb à Montpellier et y poursuit ses travaux. À l’aide d’un microscope confocal à froid qu’elle a développé, la physicienne étudie aujourd’hui des défauts atomiques fluorescents dans le silicium - matériau phare de la microélectronique - pour comprendre la richesse de leur photo-physique et évaluer leurs potentialités pour de nouvelles applications quantiques.

• Laboratoire Charles Coulomb
• Délégation Occitanie Est
• Institut de physique

• 1CNRS/Université de Montpellier
• 2Leur structure cristalline présente parfois des défauts capables de confiner localement les charges et de présenter des propriétés quantiques.
• 3Un spin est une propriété purement quantique d’une particule, qui n’a pas d’équivalent à notre échelle et qui est ici étudié pour mémoriser l'information quantique.